flash memory：闪存

闪存（flash memory，有时称为flash RAM）是一种不断供电的非易失性存储器，它能在称为块（block）的存储单位中进行删除和改编。闪存是电可擦写可编程只读存储器（EEPROM）的变体，EEPROM与闪存不同的是，它在字节层面上进行删除和重写，这样EEPROM就比闪存的更新速度慢。通常用闪存来保存控制代码，比如在个人电脑中的基本输入输出系统（BIOS）。当需要改变（重写）输入输出系统时，闪存可以以块（而不是字节）的大小输写，这样闪存就更容易更新。但另一方面，闪存不像随机存取存储器（RAM）一样有用，因为随即存取存储器可以在字节（而不是块）层面上设定地址。

　　闪存（flash memory）这个名字是因为微芯片被组织来使存储单元的一部分能在一瞬间（或闪电般的）被删除得出的。这种删除是通过隧道效应（Fowler-Nordheim tunneling）进行的，在隧道效应中电子刺破薄薄的一层绝缘材料来从每个存储单元的浮栅中移动电荷。Intel提供了一种形式的闪存，它在每个存储单元保存2比特（而不是1比特），这样能够使存储量翻倍而无需增加相应的价格。　

　　闪存被用于数码手机、数码照相机、局域网交换机、笔记本电脑的PC卡、嵌入式控制器等设备中。

 

最近更新时间：2009-07-26 作者：Steve Collins 和 Julian de SilvaEN