3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。

在这篇Q&A中，我们和Dragon Slayer Consulting的Marc Staimer一起来了解一下3D NAND技术，不同厂商之间的架构对比以及我们会在市场上看到基于3D NAND的产品。

3D NAND是什么？它的出现为什么是有必要的？

Mark Staimer: 3D NAND是NAND颗粒或者颗粒层的垂直排列——不要和垂直芯片堆叠弄混淆。这种技术很有必要，因为2D NAND逐渐达到了芯片尺寸以及芯片密度的上限。（2D NAND）正在失去其发展势头。

在科技领域，如果你不能领先他人，那么你终将被淘汰。目前2D NAND的工艺水平是20纳米和19纳米。下一阶段将会是14纳米。获得10纳米的提升是一件很困难的事情，因为电子漏也会随之增加。3D NAND则为这个问题找到了答案。

在3D NAND中，电荷捕获是一种什么样的技术？它和浮栅技术有什么区别？

Staimer：电荷捕获技术采用的是氮化硅薄膜来存储电荷，而不是浮栅技术中频繁使用的掺杂多晶硅。非专业地讲，电荷捕获型闪存是通过在绝缘层将电荷捕获进而将它们存储起来。浮栅技术则是在导体层将电荷捕获。这两种技术在闪存寿命方面会带来细微的差异。

一般来说，浮栅型NAND要比电荷捕获型NAND消耗的更快。电荷捕获型NAND用到的层（绝缘层）更薄，那么它也更省电、性能以及可扩展性也更好。然而，一些厂商对材料的改进使得这种差距越来越小。对于SSD用户来说，他们更关注的是数据弹性，性能以及开销。

据说有不同类型的3D NAND？

Staimer：有多少厂商就有多少种不同类型的3D NAND。每家厂商都有其自己的3D NAND技术。

它们在架构上如何区分？

Staimer：目前，Toshiba-SanDisk和Samsung共同占有了75%的市场份额。这两家巨头各自研发了电荷捕获型闪存技术的变体。Toshiba称他们的3D NAND为Pipe-shaped Bit-Cost Scalable，—即P-BICS。三星称自己的3D NAND为Terabit Cell Transistor——即“TCAT”。尽管在概念上很像，但是这两种技术采用了完全不同的合金以及设计模式。Hynix致力于浮栅架构的研发。Micron基于深沟槽结构RAM研发了一种电荷捕获技术的变体。

哪家厂商做的更突出一些还是他们目前仍然势均力敌？

Staimer：现阶段还是很难看出来。这涉及到密度、每GB开销、弹性、可靠性等因素。理论上说，电荷捕获技术在成本上稍有优势。但最终还是要看具体的效果。每家厂商都下了赌注。让市场来告诉我们谁是最后的赢家吧。

目前市场上有没有3D NAND闪存的产品？如果没有，我们什么时候会看到？

Staimer：Samsung声称，他们在2013年8月份对其3D NAND进行批量生产，基于3D NAND技术的960GB和480GB的V-NAND（Vertical NAND）SSD则正在大量铺货。期待其他厂商在今年会紧跟趋势。